近日，振远科技宣布，其研发中心经过长达18个月的技术攻关，成功突破了应用于7纳米及更先进半导体制程的精密零部件再生技术壁垒。这一里程碑式的成就，标志着振远科技在高端半导体设备服务领域迈入了全球第一梯队，为国内先进芯片制造企业提供了至关重要的本土化、高性能技术保障。

在先进制程中，半导体设备零部件的性能直接决定了晶圆加工的良率与稳定性。尤其是蚀刻、CVD等关键设备中的陶瓷加热器、静电吸盘、气体喷淋头等核心部件，在复杂的等离子体环境中会逐渐老化、性能衰退。传统的再生技术难以恢复其初始的物理与电气性能，成为制约先进产能爬坡和成本控制的瓶颈。

振远科技本次突破的核心在于三大技术革新：

1. 纳米级表面修复技术：通过自主研发的复合等离子体处理工艺，能够在原子层级修复部件表面的微损伤，恢复其介电常数、热传导率等关键参数，使其达到新件标准的95%以上。

2. 特定材料匹配涂层技术：针对不同部件材质（如Al₂O₃、AlN、SiC等），开发了专属的再涂层配方与工艺，确保了涂层在极端环境下的附着力和均匀性，显著延长了部件的使用寿命。

3. 智能性能验证体系：建立了完整的再生部件性能数据库与AI预测模型，对每一个再生部件进行全生命周期的数据追踪与性能模拟，为客户提供可预测的维护周期建议。

目前，该技术已在国内某领先的晶圆代工厂的7纳米生产线上完成验证，并实现批量应用。客户反馈显示，采用振远再生部件后，相关设备的平均无故障时间提升了30%，单个部件的使用成本降低了40%，为客户的产能扩张和竞争力提升提供了强有力的支持。

振远科技总经理表示：“此次技术突破，不仅是对我们‘以技术创新为向导’理念的最佳践行，更是我们响应国家号召，在半导体产业链关键环节实现自主可控迈出的坚实一步。未来，我们将持续投入研发，向3纳米、2纳米等更前沿的制程发起挑战。”